三菱電機株式会社は、低電流での動作の比率が高い冷蔵庫などの小容量モーターをインバーター駆動するパワー半導体モジュールの新製品として、スイッチング素子に低電流領域のオン電圧が小さいMOSFET※1を採用したトランスファーモールド※2タイプの「超小型DIPIPM※3」を3月1日に発売します。

※1) Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスター
※2) 加熱加圧した樹脂を閉鎖された金型に注入し加圧成形する方法。量産性と信頼性に優れる。
※3) Dual-In-Line Package Intelligent Power Module：保護機能付き制御素子を内蔵したインテリジェントパワー半導体モジュール


≪新製品の特長≫
■小容量インバーターの低消費電力化に貢献
・スイッチング素子にMOSFETを採用し、低電流領域のオン電圧を従来比約60％低減※4
・MOSFETの製造プロセス最適化によりリカバリー損失を低減
・回路最適化により制御ICの消費電力を低減
※4) 0.5A、25℃での当社超小型DIPIPM「PS219B2」との比較

■高放熱構造により高い信頼性を確保
・スイッチング素子の低損失化と放熱性の高い絶縁シート構造の採用により、温度上昇を抑制

■最終製品の小型化・コスト低減に貢献
・高放熱構造により、最終製品の放熱対策を軽減
・電流制限抵抗付きBSD※5を内蔵し、外付けの部品数を削減可能
※5) Bootstrap Diode：基準電圧から他の電圧を作り出すブートストラップ回路用の高耐圧用ダイオード

≪発売の狙い≫
当社は、1997年にスイッチング素子とその駆動・保護を行う制御ICを内蔵したトランスファーモールド構造のインテリジェントパワー半導体モジュール「DIPIPM」を製品化し、インバーターシステムの小型化及び省エネ化に貢献してきました。近年、冷蔵庫などの家電製品においては年間消費電力量が製品の省エネ指標となっており、定格条件の損失低減に加えて、実使用範囲で高い比率を占める低電流領域での損失低減が求められています。

当社は今回、スイッチング素子に低電流領域でのオン電圧が小さく、リカバリー損失の小さいMOSFETを採用し、消費電力を低減した制御ICを搭載した高放熱構造の超小型DIPIPMを発売します。これにより、冷蔵庫などに搭載される小容量インバーターの年間消費電力量の低減と、最終製品の小型化とコスト低減に貢献します。

≪主な仕様≫
■形名：PSM03S93E5/-A/-C　定格：3A/500V
■形名：PSM0593E5/-A/-C　定格：5A/500V
■外形サイズ：24×38×3.5 mm
■内蔵チップ：三相インバーターを構成するMOSFETチップ×6、HVICチップ×1、LVICチップ×1とブートストラップDi×3を内蔵
■内蔵機能：短絡電流（SC,外付けシャント抵抗による）、制御電源電圧低下（UV）、過熱（OT,N側のみ）保護機能内蔵：N側保護動作時Fo出力
■その他：インバーターN側MOSFET分割ソース（3シャント）方式

【お問い合わせ先】
三菱電機株式会社　
半導体・デバイス第一事業部　パワーデバイス営業部
〒100-8310　東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
TEL：03-3218-3239 / FAX：03-3218-2723
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