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1550nm ゲインチップ(チップオブサブマウント) AE5T315BY20P

アンリツ(株)センシング＆デバイスカンパニー

最終更新日:2022/07/21

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  • 1550nm ゲインチップ(チップオブサブマウント) AE5T315BY20P
垂直端面反射率HR(95％)
【AE5T315BY12P】は、InGaAsP／InPで構成された1.5μm帯の外部共振器型レーザ用ゲインチップ。光ファイバ通信や光計測用の狭線幅広帯域波長可変光源などの光学利得媒体として使用できる。
    　　　　　　　　
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1550nm ゲインチップ(チップオブサブマウント) AE5T315BY20P
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ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.62MB【AE5T315BY12P】は、InGaAsP／InPで構成された1.5μm帯の外部共振器型レーザ用ゲインチップ。光ファイバ通信や光計測用の狭線幅広帯域波長可変光源などの光学利得媒体として使用できる。

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