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1550nm ゲインチップ(チップオブサブマウント) AE5T310BY10P

アンリツ(株)センシング＆デバイスカンパニー

最終更新日:2022/07/21

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  • 1550nm ゲインチップ(チップオブサブマウント) AE5T310BY10P
垂直端面反射率LR(6％)
【AE5T310BY10P】は、InGaAsP／InP で構成された1.5μm帯の外部共振器型レーザ用ゲインチップ。光ファイバ通信や光計測用の狭線幅広帯域波長可変光源などの光学利得媒体として使用できる。
    　　　　　　　　
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ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.61MB【AE5T310BY10P】は、InGaAsP／InP で構成された1.5μm帯の外部共振器型レーザ用ゲインチップ。光ファイバ通信や光計測用の狭線幅広帯域波長可変光源などの光学利得媒体として使用できる。

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