ローム社製 GaN HEMT GNP1070TC-Z／GNP1150TCA-Z
最終更新日:2024/01/19
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650V耐圧、業界トップクラスのデバイス性能を実現
【GNP1070TC-Z／GNP1150TCA-Z】は、サーバーやACアダプタなど幅広い電源システムの高効率化・小型化に適したGaN HEMT。Delta Electronics社の関連会社でGaNデバイスの開発などを手掛けるAncora Semiconductors社との共同開発によるもので、650V GaN HEMTのデバイス性能指数(RDS(ON)×Ciss／RDS(ON)×Coss)において業界トップクラスを実現。これによりスイッチング損失を大きく削減できるため、電源システムの高効率化を可能にする。また、ESD保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上するため、アプリケーションの高信頼化にも寄与。さらに、GaN HEMTの特長を活かした高速スイッチング動作により、周辺部品の小型化にも貢献する。
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