CoolSiC 2000V SiC MOSFET ファミリー IMYH200RxxxM1H
最終更新日:2024/03/11
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- ・V DSS=2000V:DCリンク1500Vまでのシステム用
・きわめて低いスイッチング損失
・革新的なHDCパッケージ
・沿面距離14mm
・空間距離 5.4mm
・業界標準となるゲート閾値電圧:VGS(th)=4.5V
・整流用の備えた堅牢なボディダイオード
・最高クラスの放熱性を備えた.XT相互接合技術
・高い耐湿性
製品カタログ・資料
- CoolSiC 2000V SiC MOSFET ファミリー IMYH200RxxxM1H
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.86MB本製品は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ12~100mΩのラインナップで提供しているT2000V CoolSiC MOSFETファミリー。10~80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく電力密度を向上させるよう設計されている。CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの.XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに最高の効率を実現。
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