EiceDRIVER SiC MOSFETゲートドライバICs
最終更新日:2023/08/17
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- ・沿面距離8mmのワイドボディパッケージ
・高温での動作に最適
・アクティブミラークランプ
・短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
・100kV/μs以上のCMTI(1EDU20I12SV:>= 50 kV/μs CMTI )
・高精度DESAT保護
・12V/11Vの標準的なUVLO閾値
製品カタログ・資料
- EiceDRIVER SiC MOSFETゲートドライバICs
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:3.24MB本製品は、優れた伝搬遅延マッチング、正確な入力フィルタ、広い出力側供給範囲、負のゲート電圧駆動能力、高い同相過渡除去特性(CMTI)、アクティブミラークランプ、DESAT保護機能など、SiC MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメータを実装したゲートドライバ。
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会社情報
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