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高耐圧スーパージャンクションMOSFETファミリー 600V CoolMOS S7

最終更新日:2023/08/17

導通損失を最小化、小型化・容易な設計に寄与

【600V CoolMOS S7】は、革新的なSMDパッケージに、22mΩのチップを独自に組み合わせ、低周波スイッチングアプリケーション向けに優れた価格性能比を実現する高耐圧スーパージャンクションMOSFET。前例のないほど低いR_DS(on)xAを実現し、設計者とエンドマーケットのニーズを満たす価格帯での性能指数になっている。さらに、ソリッドステートリレーは、エレクトロメカニカルな代替品よりもはるかにコンパクトになり、体積では95％超削減される。アクティブブリッジ整流、インバータステージ、突入リレー、PLC、ソリッドステートサーキットブレーカー、リレーなどの静的スイッチングアプリケーションは、価格／性能比で、低伝導損失の利点を活かしている。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

仕様

用途	≪対象アプリケーション≫ 太陽光発電 SMPS UPS PLC LSEV

その他の情報

_DS(on)

製品カタログ・資料

: 高耐圧スーパージャンクションMOSFETファミリー 600V CoolMOS S7
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.27MB【600V CoolMOS S7】は、革新的なSMDパッケージに、22mΩのチップを独自に組み合わせ、低周波スイッチングアプリケーション向けに優れた価格性能比を実現する高耐圧スーパージャンクションMOSFET。前例のないほど低いRDS(on)xAを実現し、設計者とエンドマーケットのニーズを満たす価格帯での性能指数になっている。さらに、ソリッドステートリレーは、エレクトロメカニカルな代替品よりもはるかにコンパクトになり、体積では95％超削減される。アクティブブリッジ整流、インバータステージ、突入リレー、PLC、ソリッドステートサーキットブレーカー、リレーなどの静的スイッチングアプリケーションは、価格／性能比で、低伝導損失の利点を活かしている。

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