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最終更新日:2021/02/16

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  • 650V ハイブリッド CoolSiC IGBT
効率向上を実現
本製品はユニポーラ構造の主な利点を併せ持つIGBT。還流ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを使うことにより、機能を拡張でき、Eonや全体スイッチング損失の大幅な低減が可能となる。本製品にアップグレードすることで、スイッチング周波数10kHzごとに効率が0.1%向上。例えば23kHzのスイッチング速度で動作するハーフブリッジコンバータの場合、シリコンIGBTを本製品に置き換えると、効率が最大0.23%向上する可能性がある。

その他の情報

    ・TRENCHSTOP 5とCoolSiCダイオード技術の組み合わせによる、きわめて低いスイッチング損失
    ・非常に低いON 損失
    ・ハードスイッチングトポロジの業界標準スイッチングIGBT

製品カタログ・資料

650V ハイブリッド CoolSiC IGBT
650V ハイブリッド CoolSiC IGBT

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.52MB本製品は、クラス最高の650V TRENCHSTOP 5 IGBT技術とともに搭載されたショットキーバリアCoolSiCダイオードのユニポーラ構造の主な利点を併せ持つIGBT。還流ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを使うことにより、機能を拡張でき、Eonや全体スイッチング損失の大幅な低減が可能となる。本製品にアップグレードすることで、スイッチング周波数10kHzごとに効率が0.1%向上。例えば23kHzのスイッチング速度で動作するハーフブリッジコンバータの場合、シリコンIGBTを本製品に置き換えると、効率が最大0.23%向上する可能性がある。

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車載用デバイス (車載LAN、パワー半導体、センサー、無線制御)、産業用半導体デバイス (MOSFET、IGBT、ダイオード、電源IC、個別半導体)、チップカード セキュリティ関連デバイス等、豊富な製品ポートフォリオと、システムノウハウ、アプリケーションへの理解をもとにお客様への技術提案を行っています。

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〒 141-0032  品川区大崎1-11-2 ゲートシティ大崎イーストタワー21F

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