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650V ハイブリッド CoolSiC IGBT

インフィニオンテクノロジーズジャパン(株)

最終更新日:2023/08/17

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効率向上を実現

本製品はユニポーラ構造の主な利点を併せ持つIGBT。還流ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを使うことにより、機能を拡張でき、Eonや全体スイッチング損失の大幅な低減が可能となる。本製品にアップグレードすることで、スイッチング周波数10kHzごとに効率が0.1％向上。例えば23kHzのスイッチング速度で動作するハーフブリッジコンバータの場合、シリコンIGBTを本製品に置き換えると、効率が最大0.23％向上する可能性がある。

半導体デバイス│ディスクリート:IGBT│

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: 650V ハイブリッド CoolSiC IGBT
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.52MB本製品は、クラス最高の650V TRENCHSTOP 5 IGBT技術とともに搭載されたショットキーバリアCoolSiCダイオードのユニポーラ構造の主な利点を併せ持つIGBT。還流ダイオードとしてショットキーバリアダイオードを使うことにより、機能を拡張でき、Eonや全体スイッチング損失の大幅な低減が可能となる。本製品にアップグレードすることで、スイッチング周波数10kHzごとに効率が0.1％向上。例えば23kHzのスイッチング速度で動作するハーフブリッジコンバータの場合、シリコンIGBTを本製品に置き換えると、効率が最大0.23％向上する可能性がある。

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