EasyPACK/EasyDUAL 1200V CoolSiC MOSFET M1Hパワーモジュール
最終更新日:2023/08/17
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- ・Easy 1B、2B、3Bパッケージ
・1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代)
・推奨ゲート駆動電圧ウィンドウを+15V...+18Vおよび0V...-5Vに拡大
・最大ゲートソース間電圧 +23V〜−10Vに拡大
・過負荷時の最大温度 Tvjop=175℃
・6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成
・PressFITピン
・TIM(熱伝導材料)塗布済み(Easy 3B)
製品カタログ・資料
- EasyPACK/EasyDUAL 1200V CoolSiC MOSFET M1Hパワーモジュール
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.31MB本製品は、第1世代 CoolSiC MOSFETから進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプのパワーモジュール。推奨VGS(on)15~18VおよびVGS(off)0~5Vと、ゲート駆動電圧範囲を大幅に拡大し、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーするために最大ゲートソース電圧を+23Vと-10Vに拡大している。VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、同時にRDSon性能を125℃で約12%向上。リードタイプには、Easy 1B、2B、3Bパッケージのそれぞれ6パック、3レベルNPC2、ハーフブリッジトポロジーがある。
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会社情報
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