実装面積4.6mm²を実現
機器の小型化に貢献するPhotoMOSリレー「VSSOPタイプ」を新発売


パナソニック電工株式会社は、プリント配線板への部品実装面積のさらなる縮小化へのニーズを実現したPhotoMOSリレー(※1)「VSSOPタイプ」を、2011年5月1日より発売開始します。
既発売の「SSOPタイプ(実装面積：11.8mm²)」「SONタイプ(実装面積：6.5mm²)」に加え、小型半導体リレーのラインナップを強化しました。

電子機器の小型化・高機能化に伴い、リレーをはじめとする電子部品には、実装面積の低減や、さらなる電気的特性の良化が求められます。

今回、発売する新製品PhotoMOSリレー「VSSOPタイプ」は、当社のPhotoMOSリレーの製品ラインナップの中で最小の実装面積4.6mm2を実現。高密度実装が求められる計測機器などにおける、機器設計の自由度を高めます。また、構造改良により、「SSOPタイプ」「SONタイプ」と比較して高周波の通過特性が向上しました。

当社は、今後もPhotoMOSリレーの商品群の拡充により、小型化が進む通信機器や高密度実装が求められる各種検査装置など、さまざまな顧客ニーズに対応していきます。

製品名：PhotoMOSリレー「RF C×R10VSSOPタイプ」
サイズ(mm)：長さ2.1mm×幅2.2mm×高さ2.9mm
発売日：2011年5月１日
希望小売価格：オープン価格
販売目標：10万個/月(2011年度)


■主な特長
(1)実装面積4.6mm²(長さ2.1mm×幅2.2mm)を実現
(2)高周波特性：インサーションロス50Ω、〜10GHzにて3dB以上。ERT(※2)30ps(平均) 従来品比(SONタイプ)約40％良化
(3)電気的特性：低C×R、オン抵抗0.8Ω(平均)、出力端子間容量14pF(平均)

※1：入力側にLED、出力側に光電素子とMOSFETを採用し、光によって信号の伝達を行う半導体リレー
※2：Equivalent Rise Timeの略で、高周波の通過特性の指標として用いられ、値が小さいほど信号のひずみが抑えられて良いとされる


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