半導体デバイスのモデリングと特性評価ソフトウェアの最新リリースを発表
2016/03/24
キーサイト・テクノロジー株式会社
～最先端のモデルをサポートし、モデリングと特性評価がより効率化したソフトウェアにより、測定スピードが著しく向上～
■IC-CAP：測定速度を大幅に高速化。GaNおよびGaAs HEMTのモデリング用のDynaFET Systemソリューションを提供
■MBP：FD-SOIテクノロジー用のBSIM-IMGをサポート
■MQA：混合SPICE構文と16 nm TMI(TSMC Modeling Interface)ライブラリのサポートを提供
東京、2016年3月24日発 – キーサイト・テクノロジー合同会社（職務執行者社長：チエ ジュン、本社：東京都八王子市高倉町9番1号）は、業界最高のデバイスモデリング／特性評価ソフトウェアの最新リリースを発表します。今回リリースするソフトウェアは、IC-CAP (Integrated Circuits Characterization and Analysis Program) 2016、MBP (Model Builder Program) 2016、MQA (Model Quality Assurance) 2016になります。これにより、半導体デバイスのデザイン時の特性評価とモデリングの作業効率がさらに向上します。
【IC-CAP 2016】
キーサイトのIC-CAP 2016ソフトウェアは、最新の半導体モデリングプロセスに対応した強力な特性評価機能と解析機能を提供しています。 IC-CAP 2016では、パワーアンプ(PA)アプリケーションで使用されるGaNおよびGaAs HEMTをモデリングするための、DynaFET Systemソリューションを提供しています。このソリューションには、Advanced Design System (ADS) DynaFETモデルのパラメータを抽出できる測定／モデリングソフトウェアが含まれます。
ADS DynaFETモデルの重要な利点として、熱現象やトラッピング現象に起因する動的メモリ効果を正確に予測できる機能が挙げられます。動的メモリ効果を正確に予測できるため、RF PA回路デザインの2つの重要な指標である利得と電力付加効率(PAE)に対する予測の確度も、大幅に向上します。 専用測定ソフトウェアが、キーサイトのPNA-X ノンリニア・ベクトル・ネットワーク・アナライザ(NVNA)を使用して大量の信号データ(さまざまなRFパワー、バイアスポイント、出力インピーダンスで測定されたダイナミック負荷ライン)を収集します。 これらの測定データは、IC-CAP 2016の抽出パッケージに直接読み込まれ、ニューラル・ネットワーク・テクノロジーを使用してモデルパラメータが抽出されます。抽出したモデルパラメータは、ADSソフトウェアで直接使用することができます。
IC-CAP 2016のもう1つの重要な特長は、当社のE5270、B1500A、B1505Aの測定器ドライバーの測定速度の向上です。以前のリリースと比較し、最大3倍、高速になりました。大量のデータを高い確度で測定するために必要だった測定時間を大幅に軽減することができます。 IC-CAP 2016には、E4990インピーダンス・アナライザとE5061Bネットワーク・アナライザをサポートする、新しい測定器ドライバーも追加されています。
■IC-CAP：測定速度を大幅に高速化。GaNおよびGaAs HEMTのモデリング用のDynaFET Systemソリューションを提供
■MBP：FD-SOIテクノロジー用のBSIM-IMGをサポート
■MQA：混合SPICE構文と16 nm TMI(TSMC Modeling Interface)ライブラリのサポートを提供
東京、2016年3月24日発 – キーサイト・テクノロジー合同会社（職務執行者社長：チエ ジュン、本社：東京都八王子市高倉町9番1号）は、業界最高のデバイスモデリング／特性評価ソフトウェアの最新リリースを発表します。今回リリースするソフトウェアは、IC-CAP (Integrated Circuits Characterization and Analysis Program) 2016、MBP (Model Builder Program) 2016、MQA (Model Quality Assurance) 2016になります。これにより、半導体デバイスのデザイン時の特性評価とモデリングの作業効率がさらに向上します。
【IC-CAP 2016】
キーサイトのIC-CAP 2016ソフトウェアは、最新の半導体モデリングプロセスに対応した強力な特性評価機能と解析機能を提供しています。 IC-CAP 2016では、パワーアンプ(PA)アプリケーションで使用されるGaNおよびGaAs HEMTをモデリングするための、DynaFET Systemソリューションを提供しています。このソリューションには、Advanced Design System (ADS) DynaFETモデルのパラメータを抽出できる測定／モデリングソフトウェアが含まれます。
ADS DynaFETモデルの重要な利点として、熱現象やトラッピング現象に起因する動的メモリ効果を正確に予測できる機能が挙げられます。動的メモリ効果を正確に予測できるため、RF PA回路デザインの2つの重要な指標である利得と電力付加効率(PAE)に対する予測の確度も、大幅に向上します。 専用測定ソフトウェアが、キーサイトのPNA-X ノンリニア・ベクトル・ネットワーク・アナライザ(NVNA)を使用して大量の信号データ(さまざまなRFパワー、バイアスポイント、出力インピーダンスで測定されたダイナミック負荷ライン)を収集します。 これらの測定データは、IC-CAP 2016の抽出パッケージに直接読み込まれ、ニューラル・ネットワーク・テクノロジーを使用してモデルパラメータが抽出されます。抽出したモデルパラメータは、ADSソフトウェアで直接使用することができます。
IC-CAP 2016のもう1つの重要な特長は、当社のE5270、B1500A、B1505Aの測定器ドライバーの測定速度の向上です。以前のリリースと比較し、最大3倍、高速になりました。大量のデータを高い確度で測定するために必要だった測定時間を大幅に軽減することができます。 IC-CAP 2016には、E4990インピーダンス・アナライザとE5061Bネットワーク・アナライザをサポートする、新しい測定器ドライバーも追加されています。
