1.モデリングサービス
2. Qorvo社GaN HEMT ライブラリ供給開始


株式会社 アイ・エム・シー(代表取締役社長 勝野 功、本社 東京都新宿区西新宿 7-22-37 ストーク西新宿福星ビル、以下アイ・エム・シー)は、この度、米国 Modelithics社(モデリシック、フロリダ州)の日本国内でのGaN(窒化ガリウム)デバイスの高周波／マイクロ波デバイスモデル事業に本格参入致します。

化合物半導体のGaNデバイスは近年、その高速動作と高電力が扱えることで化合物半導体の主役となり、高周波・マイクロ波の増幅器用途で本格的な利用が始まっております。
精度の良い非線形モデルは、EDAでの回路シミュレーションには必須で、これまでは半導体メーカ自身が、新デバイスを開発後に特殊な治具と計測システムでデバイスパラメータ抽出測定をし、最終的に EDA各社向けにSPICEパラメータとして回路開発者向けにパラメータ提供を行ってきました。
モデルは、キーサイトの高周波設計システム ADSやAWRの高周波設計ソフト MWO(マイクロウエーブオフィス)向けのパラメータ向けにパッケージ化されています。GaNのモデリングには、測定に高度な技術が必要で熟練した測定技術者とパラメータ抽出技術が極めて重要な要素となっています。

Modelithics社は、長年米国 Qorvo社のGaN HEMT トランジスタのマイクロ波EDA用途の非線形モデルのプロジェクトを手掛けており、Qorvoライブラリとして次世代マイクロ波製品向けの設計用非線形モデルを回路設計者に供給の実績があります。
また、日本国内でもアイ・エム・シー経由で大手電機メーカでのデバイス測定やモデリングの実績が多数ございます。

今回の発表は2点あり、何れもGaNデバイスの非線形モデル本格参入です。
1. Qorvo社非線形モデルライブラリ日本国内のマイクロ波EDAユーザに提供開始
2. Qorvo社GaN HEMTモデリングで培った技術を基に、測定からモデル生成までをパッケージ化し、プロフェッショナルサービスとして提供開始

モデル化の専門知識により高精度な測定と高度なモデルにスケーラビリティ機能を含んでおり、トポロジを一つのパッケージサービスとして業界標準のEDAソフトウェアに対応したモデルとライブラリ化をサービスとして実施致します。

詳しくは、弊社ホームページをご覧ください。
リリース:http://www.im-c.co.jp/news/newproducts.html#modelithics_201706