4MビットFRAM MB85RS4MTY
最終更新日:2021/07/06
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高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ
【MB85RS4MTY】は、1.8～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、SPIインターフェースのFRAM。125℃動作FRAMファミリーの中で、最大メモリ容量となる4Mビット品。高温環境においても10兆回のデータ書換え回数および50MHz動作時でも4mA以下の書込み電流という低消費電力を保証。パッケージは、リードなし8ピンDFN(Dual Flatpack No-leaded package)にて提供。車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリアしており、高い信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム(ADAS)や高性能産業用ロボットへの使用が可能。
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製品カタログ・資料
- メモリFRAM 4M (512 K×8) ビットSPI MB85RS4MTY(AEC-Q100 準拠)
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.67MBMB85RS4MTYは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた524,288 ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。MB85RS4MTY は自動車などの高温環境下での動作が必要となる用途に適しています。 MB85RS4MTY は, シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。 MB85RS4MTY は, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。MB85RS4MTY に採用しているメモリセルは1013 回の書込み/ 読出し動作が可能で, フラッシュメモリやE2PROM の書換え可能回数を大きく上回ります。 MB85RS4MTY はフラッシュメモリやE2PROM のような長い書込み時間は必要とせず, 書込みの待ち時間はゼロです。 したがって, 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。
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