不揮発性メモリ ReRAM(Resistive Random Access Memory：抵抗変化型メモリ)

製品カタログ・資料

FUJITSU セミコンダクターメモリソリューション FRAM/ReRAM

ファイル形式：pdf ファイルサイズ：2.7MB富士通グループでは、1969年から50年以上もメモリ製品を提供し続けています。現在は、データ保持にバッテリーや電源供給が要らない不揮発性メモリを中心としたメモリソリューションを提供しています。 FRAM(エフラム: Ferroelectric Random Access Memory) は、強誘電体メモリと呼ばれ、既存の不揮発性メモリと比較して高速書込み、高書換え耐性、低消費電力の特長があります。FRAMは約21年間で40億個以上の量産品の出荷実績がある高品質・高信頼性のメモリです。 ReRAM(アールイーラム: Resistive Random Access Memory)は、抵抗の変化によってデータを記憶するメモリです。データ読出し時の電力が非常に小さいため、補聴器やスマートウォッチなどの小型ウェアラブルデバイスに最適です。 その他にも、流通や小売りシステムの一部のバッテリーレス化を実現するため、FRAM技術を採用した“バッテリーレス・ソリューション向け無線LSI”を提供しています。非常に消費電力が小さいので、ワイヤレス給電によってバッテリーを搭載しない端末を動作させることが可能です。 当社は、今後とも時代が要求するメモリ製品とソリューションの開発に挑戦し続けます。