4MビットFRAM　MB85RQ4ML

最終更新日:2021/07/08

ネットワーク機器の性能向上に貢献する、高速動作の不揮発性メモリ

【MB85RQ4ML】は、1.8V単一電源、Quad SPIインターフェースを採用しており、108MHz動作によって54Mバイト／秒でのデータ転送が可能な4MビットFRAM。同社の従来品では、16ビットの入出力ピンを持つパラレルインターフェースの4MビットFRAMが転送速度13Mバイト／秒で最速のメモリであったが、「MB85RQ4ML」は4ビットの入出力ピンでありながら、約4倍の速度でデータのリード／ライトが可能。動作電源電圧：1.7～1.95V(単一電源)、動作周波数：最大108MHz、書込み／読出し保証回数：10兆回、データ保持特性：10年(＋85℃)。

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製品カタログ・資料

: メモリFRAM 4M (512 K×8) ビットQuad SPI「MB85RQ4ML」データシート
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：2.34MBMB85RQ4ML は, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた524,288ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。 MB85RQ4ML は, 四つの双方向I/O を用いて, 54 MB/s までの高速書込み/ 読出しが可能な, クワッドシリアルペリフェラルインタフェース (QSPI) を採用しています。 MB85RQ4ML は, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。 MB85RQ4ML に採用しているメモリセルは1013 回の書込み/ 読出し動作が可能で, フラッシュメモリやE2PROM の書換え可能回数を大きく上回ります。 MB85RQ4ML は, 高速書込みが可能であり, 書込みのための待ち時間を必要とせず, フラッシュメモリやE2PROM のような長い書込み時間も必要としません。したがって, ネットワーキング, ゲーム, 産業用コンピューティング, カメラ, RAIDコントローラなどに最適です。