2MビットFRAM MB85RS2MLY

最終更新日:2021/07/07

ADASなどの先端車載市場向けに最適

【MB85RS2MLY】は、-40～＋125℃の温度範囲において10兆回のデータ書換えが可能な2MビットFRAM。リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しており、毎日0.1秒ごとに10年間データを記録(30億回以上)することも可能。信頼性試験は車載グレードであるAEC-Q100グレード1に準拠。データ書込み回数と信頼性の両観点から、ADASのような車の状態を常に検知し記録し続ける用途に最適。容量(メモリ構成)：2Mビット(256K×8ビット)、インターフェース：SPI(シリアル・ペリフェラル・インターフェース)、動作周波数：50MHz(最大)、動作電源電圧：1.7～1.95V、動作温度範囲：-40～＋125℃、書込み／読出し保証回数：10兆回(1013回)、パッケージ：8ピンSOP／8ピンDFN、品質規格：AEC-Q100グレード1準拠。

半導体デバイス│メモリ:EPROM/EEPROM│

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製品カタログ・資料

: メモリFRAM 2M (256 K×8) ビットSPI MB85RS2MLY(AEC-Q100 準拠)
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.78MBMB85RS2MLY は, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた262,144 ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memoy:強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。MB85RS2MLY は, 自動車などの高温環境下での動作が必要となる用途に適しています。 MB85RS2MLY は, シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。 MB85RS2MLY は, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。 MB85RS2MLY に採用しているメモリセルは1013 回の書込み/ 読出し動作が可能で, フラッシュメモリやE2PROM の書換え可能回数を大きく上回ります。 MB85RS2MLY はフラッシュメモリやE2PROM のような長い書込み時間は必要とせず, 書込みの待ち時間はゼロです。したがって, 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。