DMOS-ASIC S1X8H000/S1K8H000シリーズ
最終更新日:2021/06/11
このページを印刷0.15μmのCMOSとDMOSを混載し、高耐圧・大電流に対応
【S1X8H000/S1K8H000シリーズ】は、独自の回路化技術により特定用途向けIPコアと論理回路を混載し、1チップ化したDMOS-ASIC。DMOSトランジスタで、高い耐圧を維持しながら、従来の高耐圧DMOSプロセスに対し50%以上のオン抵抗低減と、電力損失低減および高効率化を実現。高耐圧・大電流に対応しつつ、低消費電力を実現するための制御回路を搭載可能。幅広い分野での利用に適し、部品点数の削減や省電力化が図れ、搭載製品の小型化・低消費電力化、および開発費の削減に貢献する。