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2.45GHz帯100W自励型半導体発振器

東京計器(株) 通信機器部

最終更新日:2018/06/27

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  • 2.45GHz帯100W自励型半導体発振器
高効率GaN-FETを使用
本製品は、ヒートシンクを内蔵した超小型半導体発振器。発振周波数:2.45GHz、モジュール効率:60% typ.、ヒートシンクを内蔵。

製品カタログ・資料

2.45GHz帯100W自励型半導体発振器
2.45GHz帯100W自励型半導体発振器

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.32MB本製品は、ヒートシンクを内蔵した超小型半導体発振器。発振周波数:2.45GHz、モジュール効率:60% typ.、ヒートシンクを内蔵。

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