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2.45GHz帯100W自励型半導体発振器

東京計器(株) 通信機器部

最終更新日:2018/06/27

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高効率GaN-FETを使用

本製品は、ヒートシンクを内蔵した超小型半導体発振器。発振周波数：2.45GHz、モジュール効率：60％ typ.、ヒートシンクを内蔵。

電子部品│振動子/発振器│

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住所：: 〒 144-8551
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Web：: https://www.tokyokeiki.jp/products/rf/

TEL：: 0337322072

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