X帯GaN高出力増幅器
最終更新日:2018/06/27
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小型・軽量
本製品は、出力100W(パルス)、ドレイン効率、約40％以上のX帯GaN高出力増幅器。小型・軽量で、サイズは17.4×24.0×4.1mm。周波数特性のチューニングが可能。ゲート／ドレインのバイアス回路を内蔵。
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ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.4MB本製品は、出力100W(パルス)、ドレイン効率、約40％以上のX帯GaN高出力増幅器。小型・軽量で、サイズは17.4×24.0×4.1mm。周波数特性のチューニングが可能。ゲート／ドレインのバイアス回路を内蔵。
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