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120Vブート・3A／4A 接合分離型ハイサイド／ローサイドゲートドライバーIC EiceDRIVER 2EDL803X

最終更新日:2023/10/12

3Aおよび4Aのソース／6Aのシンク出力電流能力を持つクラス最高の駆動能力

【2EDL803X】は、ハーフブリッジ構成でハイサイドとローサイドの両MOSFETを駆動するように設計されたゲートドライバー。フローティングハイサイドドライバーは、ブートストラップ電圧120Vまで動作するハイサイドMOSFETを駆動できる。ハイサイドバイアス電圧は、内蔵ブートストラップダイオードを使用したブートストラップ技術により生成され、ドライバーの入力はTTLロジック互換で、－10～20Vまでの入力コモンモード振幅に耐えることができる。独立入力により、ハイサイドとローサイドのドメインを個別に制御可能。ハイサイドとローサイドの両方の電源に低電圧誤動作防止機能(UVLO)があり、電源不足の場合、対応する出力が強制的にローレベルになる。SON-8ピン4×4mm、SON-10ピン4×4mm、SON-10ピン3×3mmパッケージで提供。

半導体デバイス│パワーマネージメントIC:ゲートドライバ│

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製品カタログ・資料

: 120Vブート・3A／4A 接合分離型ハイサイド／ローサイドゲートドライバーIC EiceDRIVER 2EDL803X
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.54MB【2EDL803X】は、ハーフブリッジ構成でハイサイドとローサイドの両MOSFETを駆動するように設計されたゲートドライバー。フローティングハイサイドドライバーは、ブートストラップ電圧120Vまで動作するハイサイドMOSFETを駆動できる。ハイサイドバイアス電圧は、内蔵ブートストラップダイオードを使用したブートストラップ技術により生成され、ドライバーの入力はTTLロジック互換で、－10～20Vまでの入力コモンモード振幅に耐えることができる。独立入力により、ハイサイドとローサイドのドメインを個別に制御可能。ハイサイドとローサイドの両方の電源に低電圧誤動作防止機能(UVLO)があり、電源不足の場合、対応する出力が強制的にローレベルになる。SON-8ピン4×4mm、SON-10ピン4×4mm、SON-10ピン3×3mmパッケージで提供。

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