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SOIゲートドライバ1200V 6ED2230S12T

最終更新日:2023/08/17

1200Vオフセット電圧

【6ED2230S12T】は、3相アプリケーション向けに3つの独立したハイサイド・ローサイド出力を持つSOI技術を使用した1200VのゲートドライバIC。高速で低RONのブートストラップダイオードと、ローサイドに電流検知用の高精度過電流保護コンパレータを搭載。ドライバのクロス導通を小さくするように設計された高パルス電流バッファ段を備え、フローティング電源を使用してハイサイドのNチャネルパワーMOSFETまたはIGBTを駆動できる。伝搬遅延が一致しているため、高周波アプリケーションでの使用を簡素化できる。UVLOおよびシュートスルー防止保護とともにデッドタイム保護を内蔵。

半導体デバイス│パワーマネージメントIC:ゲートドライバ│

製品カタログ・資料

: SOIゲートドライバ1200V 6ED2230S12T
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：3.36MB【6ED2230S12T】は、3相アプリケーション向けに3つの独立したハイサイド・ローサイド出力を持つSOI技術を使用した1200VのゲートドライバIC。高速で低RONのブートストラップダイオードと、ローサイドに電流検知用の高精度過電流保護コンパレータを搭載。ドライバのクロス導通を小さくするように設計された高パルス電流バッファ段を備え、フローティング電源を使用してハイサイドのNチャネルパワーMOSFETまたはIGBTを駆動できる。伝搬遅延が一致しているため、高周波アプリケーションでの使用を簡素化できる。UVLOおよびシュートスルー防止保護とともにデッドタイム保護を内蔵。

会社情報

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