スーパージャンクション MOSFET 650V CoolMOS CFD7
最終更新日:2023/08/17
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- ・超高速ボディダイオード&超低Qrr
・絶縁破壊電圧650V
・最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
・競合製品に比べて著しく低減されたスイッチング損失
・RDS(on)の温度依存性が最も低い
製品カタログ・資料
- スーパージャンクション MOSFET 650V CoolMOS CFD7
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.24MB【650V CoolMOS CFD7】は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の共振トポロジーに最適なスーパージャンクションMOSFET。スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、最高の効率を実現する。ThinPAK 8x8パッケージは、サーバー、通信、太陽光発電、電気自動車の充電ステーションなど、産業用アプリケーションにおける共振トポロジーに最適。ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減により最高の効率と電力密度を実現し、絶縁破壊電圧が50V向上している。
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