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600V QDPAK/TO-220パッケージ CoolMOS S7 SJ MOSFETファミリー

最終更新日:2023/08/17

導通損失を最小化、エネルギー効率の向上、TCOコストやBOMコストの低減が可能

本製品は、コンパクトなSMDパッケージの高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と市場で最も低いR_DS(on)を特長として最適化されたNチャネルパワーMOSFET。R_DS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源のアクティブブリッジ整流に最適。トップサイド冷却により伝導損失を最小限に抑え、電力密度を最大化する、最も効率的なSMD冷却を実現している。

半導体デバイス│ディスクリート:MOSFET│

その他の情報

_DS(on)

製品カタログ・資料

: 600V QDPAK／TO-220パッケージ CoolMOS S7 SJ MOSFETファミリー
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.38MB本製品は、コンパクトなSMDパッケージの高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と市場で最も低いRDS(on)を特長として最適化されたNチャネルパワーMOSFET。RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源のアクティブブリッジ整流に最適。トップサイド冷却により伝導損失を最小限に抑え、電力密度を最大化する、最も効率的なSMD冷却を実現している。

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