リテルヒューズ初の1700V、1オームのSiC MOSFETを発表
2018/11/02
Littelfuseジャパン合同会社
電気自動車やハイブリッド自動車、データセンター、予備電源などのアプリケーションに最適
SiC MOSFET製品のラインナップを拡大し、当社初となる1700VのSiC MOSFET「LSIC1MO170E1000シリーズ」を、本年10月上旬より発売します。
SiC MOSFETは、電気自動車、ハイブリッド自動車、データセンター、予備電源など多くの条件が必要となるアプリケーションに最適で、同等の定格を持つシリコンMOSFETよりも高効率、電力密度の上昇、冷却装置の簡素化、システム全体のコスト軽減など、システムの最適化が可能です。また、システムの小型化やエネルギー効率化、コスト低減を可能にします。
「LSIC1MO170E1000シリーズ」は既存アプリケーションを改善し、当社のアプリケーションサポートは新しいデザイン・インプロジェクトを支援します。同等の定格のIGBTと比べ、サイクルごとのスイッチング損失を低減し、軽負荷効率を向上します。さらに、同等の定格のシリコンMOSFETよりも、阻止電圧、特定のオン抵抗、接合容量において同様のシリコンMOSFETを凌ぐ高い性能を発揮します。
同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。
※詳細については、「LSIC1MO170E1000シリーズ」の製品ページをご覧ください。
SiC MOSFET製品のラインナップを拡大し、当社初となる1700VのSiC MOSFET「LSIC1MO170E1000シリーズ」を、本年10月上旬より発売します。
SiC MOSFETは、電気自動車、ハイブリッド自動車、データセンター、予備電源など多くの条件が必要となるアプリケーションに最適で、同等の定格を持つシリコンMOSFETよりも高効率、電力密度の上昇、冷却装置の簡素化、システム全体のコスト軽減など、システムの最適化が可能です。また、システムの小型化やエネルギー効率化、コスト低減を可能にします。
「LSIC1MO170E1000シリーズ」は既存アプリケーションを改善し、当社のアプリケーションサポートは新しいデザイン・インプロジェクトを支援します。同等の定格のIGBTと比べ、サイクルごとのスイッチング損失を低減し、軽負荷効率を向上します。さらに、同等の定格のシリコンMOSFETよりも、阻止電圧、特定のオン抵抗、接合容量において同様のシリコンMOSFETを凌ぐ高い性能を発揮します。
同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。
※詳細については、「LSIC1MO170E1000シリーズ」の製品ページをご覧ください。
