～業界トップクラスの低オン抵抗を実現し、バッテリーエネルギー貯蔵および電源アプリケーションにおける設計の簡素化と性能向上が可能～

持続可能で接続性の高い、より安全な世界の実現のための産業技術の創出企業、リテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、ウルトラジャンクションX4クラスパワーMOSFETシリーズの新製品「IXTN400N20X4」 および「IXTN500N20X4」を12月上旬より発売します。これらの新製品は、現行の200V X4クラスウルトラジャンクションMOSFET をさらに進化させ、業界で最も低いオン状態抵抗を特徴としています。高い定格電流により、並列に接続された複数の低定格電流デバイスとの置き換えが可能となります。これにより設計プロセスが簡素化され、設計者の負担軽減と、アプリケーションの信頼性および電力密度の向上に貢献します。さらに、SOT-227Bパッケージのスクリュー実装端子により、頑丈で安定した取り付けが可能です。

本製品は、既存のリテルヒューズX4クラスウルトラジャンクション製品群を補完し、ポートフォリオを強化するものです。現行の最先端X4クラスMOSFETソリューションと比較して、最大2倍の電流定格と最大63%低いRDS(on)値を実現しています。

設計者は、本製品を用いることで並列に接続した複数の低電流定格デバイスを単一のデバイスに置き換えられます。これにより本製品は、ゲートドライバ設計の簡素化、信頼性の向上、 電力密度の改善、およびPCBスペースの専有率の削減に貢献する画期的なソリューションとなります。

【用途】
・バッテリーエネルギー貯蔵システム（BESS）
・充電器
・バッテリーフォーメーション
・DC・バッテリーロードスイッチ
・電源

【特長】
・低伝導損失
・並列接続の労力を最小限に抑制
・ドライバ損失を最小限に抑え、ドライバ設計を簡素化
・熱設計の簡素化
・電力密度の向上

オン状態の損失を最小限に抑えることが高く重視されるアプリケーションにおいて、なぜオン抵抗の小さいMOSFETが選ばれるのか？
オン抵抗（RDS(on)）が小さいMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、オン状態での損失の最小化を特に重要視するアプリケーションにおいて理想的な選択肢となります。動作中の電力損失を大幅に削減し、伝導損失の低減、効率の向上、発熱の低減を実現します。このため、電源、モータードライバー、バッテリー駆動機器など、継続的な電力効率の維持と熱管理が必須で緻密な電力管理が求められるアプリケーションに理想的です。

【入手方法】
リテルヒューズ正規代理店にお問い合わせください。リテルヒューズの正規代理店は littelfuse.com でご確認いただけます。

詳細については、「ウルトラジャンクションX4クラスパワーMOSFETシリーズシリーズ」の製品ページ（https://www.littelfuse.co.jp/products/power-semiconductors/discrete-mosfets/n-channel-ultra-junction/x4-class.aspx）をご覧ください。

製品紹介：https://players.brightcove.net/1799386164001/default_default/index.html?videoId=6364283985112