フルSiCパワーモジュールを量産開始。スイッチング損失を85％低減し、産業機器等の電力損失を大幅に削減
2012/03/23
ローム(株)
半導体メーカーのローム株式会社は、内蔵するパワー半導体素子を全てSiC(シリコンカーバイド：炭化ケイ素)で構成したフルSiCパワーモジュール(定格1200V/100A)の量産を開始します。
産業機器や太陽電池などで電力変換を担うインバータ、コンバータに組み込むことで、一般的なSi(シリコン)製のIGBTモジュールに比べて、下記のような優位点があり、世界のエネルギーや資源など地球環境問題にも大きく貢献します。
●スイッチング損失を85％以上低減。
●従来の400AクラスのSi-IGBTモジュールを置き換えた場合、体積を約50％削減
●低損失なため熱の発生が少なく、冷却装置も小さくすることができるので、機器全体の小型化が可能
本製品は、ローム本社工場（京都市）で3月下旬から量産・出荷する予定です。
産業機器や太陽電池などで電力変換を担うインバータ、コンバータに組み込むことで、一般的なSi(シリコン)製のIGBTモジュールに比べて、下記のような優位点があり、世界のエネルギーや資源など地球環境問題にも大きく貢献します。
●スイッチング損失を85％以上低減。
●従来の400AクラスのSi-IGBTモジュールを置き換えた場合、体積を約50％削減
●低損失なため熱の発生が少なく、冷却装置も小さくすることができるので、機器全体の小型化が可能
本製品は、ローム本社工場（京都市）で3月下旬から量産・出荷する予定です。
