高効率のMOSインテリジェントパワーモジュールを新たにラインアップ
今回開発した製品は、自社製の低オン抵抗MOSFET「PrestoMOS™※」を搭載し、さらに独自のLSI制御技術により、従来のIGBT-IPMに比べて低電流域での損失を約43%低減。業界トップクラスの低消費電力化を実現することでアプリケーションの省エネ化に貢献するとともに、IPM製品での提案により設計負荷の軽減にも寄与します。
なお、本製品は、既にサンプル出荷を開始しており、8月から月産3万個の体制で量産を開始する予定です。生産拠点は、前工程がローム浜松株式会社(静岡県)、ローム・アポロ株式会社(福岡県)、ローム・ワコー株式会社(岡山県)、後工程がROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(タイ)となります。
※PrestoMOS™は、ロームの商標です。
<背景>
近年、省エネ化の動きが加速する中で、省エネ法の改定により、家電製品はより使用実態に近いエネルギー消費効率を示すAPF(Annual Performance Factor)を表記する傾向にあり、電力負荷の大きい機器起動時や定格条件だけでなく、負荷の小さい定常運転時における省エネ化の動きが高まっています。
一方、こうした省エネ家電の設計負荷軽減を目的として、システム構築に必要なパワーデバイスや制御ICなどを1チップ化したIPMが標準的に使用されています。
