ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼CEO:呉 文精、以下ルネサス）は、このたび、回路線幅が16/14nm（ナノメートル：10億分の1メートル）世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けにフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリセルの開発に世界で初めて成功しました。SG-MONOS技術は車載応用可能な信頼性を有し、当社は現在、その技術を適用した40nm世代マイコンを量産中、28nm世代マイコンを開発しておりますが、本成功により16/14nm以降の世代までスケーリングが可能な見通しを得ました。

先進運転支援システム(Advanced Driver Assistance Systems: ADAS)に代表されるクルマの自動化やIoT(Internet of Things) を介したスマート社会の進展に伴い、より微細なプロセスを用いた最先端マイコンが求められています。このため、40/28nm世代よりさらにプロセス世代を先どりした、16/14nmのロジックプロセスをベースにした混載フラッシュメモリの開発が必要となります。16/14nmロジックプロセスでは従来のプレーナ構造のトランジスタでは微細化に限界が出てきたため、新しくフィン構造を導入した立体トランジスタの採用により性能の向上と消費電力の抑制を図ることが標準となっています。

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