低漏洩磁束タイプインダクタ CDMPIH10D48B

【CDMPIH10D48B】は、従来の閉磁構造タイプよりもさらに漏洩磁束が少ない構造設計のインダクタ。インダクタンス範囲：1.0～1.5mH。金属磁性体の一体成型タイプより漏洩磁束を低減できるため、DC-DCコンバータ回路に使用した場合、発振周波数の基本波および高調波成分の放射のノイズ低減が図れ、回路付近のテレビやカメラの液晶ディスプレイのちらつきと点滅を抑えられる。サイズ：70×0.3×H5.0mm、重量：2.0g(参考値)、動作温度範囲：－40～＋125℃(コイル自己発熱を含む)。