Ku帯50W GaN HEMT MGFK47G3745

【MGFK47G3745】は、耐圧性に優れたGaNを採用し24Vの高電圧動作することで出力電力50Wを実現した高電子移動度トランジスタ。新たに開発した高耐圧ゲート構造とレイアウトの最適化により、線形利得9dBの高利得の実現に加え、電力付加効率30％と従来品「MGFK44A4045」より10ポイント改善した。さらに、出力電力20W（43dBm）時のIM3が−25dBcと低ひずみ特性を実現したことにより、高い信号品質が提供可能。これらにより、電力増幅器を構成する高周波デバイスの数を半分にすることが可能となり、衛星通信地球局の小型・軽量化に貢献する。