パワーMOSFET OptiMOS 6 200V
最終更新日:2024/07/08
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低導通損失、低スイッチング損失、EMIを改善した安定動作を提供
【OptiMOS 6 200V】は、高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに応えるパワーMOSFET。本技術は、RDS(on)を大幅に減らすことで、導通損失を低減。ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、並列接続に優れている。穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、あらゆる動作条件においてシステム効率を向上させる。鉛フリーめっき、RoHSに対応した環境にやさしい製品。
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- パワーMOSFET OptiMOS 6 200V
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.06MB【OptiMOS 6 200V】は、高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに応えるパワーMOSFET。本技術は、RDS(on)を大幅に減らすことで、導通損失を低減。ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、並列接続に優れている。穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、あらゆる動作条件においてシステム効率を向上させる。鉛フリーめっき、RoHSに対応した環境にやさしい製品。
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