企業基本情報
- 社名:
- インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
- 住所:
- 〒 150-0002
渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
パワーMOSFET OptiMOS 6 200V
最終更新日:2024/07/08
このページを印刷低導通損失、低スイッチング損失、EMIを改善した安定動作を提供
【OptiMOS 6 200V】は、高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに応えるパワーMOSFET。本技術は、RDS(on)を大幅に減らすことで、導通損失を低減。ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、並列接続に優れている。穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、あらゆる動作条件においてシステム効率を向上させる。鉛フリーめっき、RoHSに対応した環境にやさしい製品。
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製品カタログ・資料
- パワーMOSFET OptiMOS 6 200V
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:1.06MB【OptiMOS 6 200V】は、高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに応えるパワーMOSFET。本技術は、RDS(on)を大幅に減らすことで、導通損失を低減。ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、並列接続に優れている。穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、あらゆる動作条件においてシステム効率を向上させる。鉛フリーめっき、RoHSに対応した環境にやさしい製品。
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