企業基本情報
- 社名：
- インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株)
- 住所：
- 〒 150-0002
渋谷区渋谷3-25-18 NBF渋谷ガーデンフロント
対称型ハーフブリッジMOSFETソリューション スケーラブルパワーブロック OptiMOS 6 40V／OptiMOS 5 100V
最終更新日:2024/07/08
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制御用MOSFETと同期用MOSFETの両方をパッケージ内に集積
本製品は、最新パッケージイノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFET(Q1とQ2でRDS(on)が同じで対称の動作をするハーフブリッジ)を、さまざまなアプリケーション(モータドライブ、SMPSなど)を対象としたコンパクトなリードレスSMD(6.3×6.0mm²)パッケージに搭載している。リード製品には、最新のOptiMOS 6 40VおよびOptiMOS 5 100Vシリコン技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮する。2つのディスクリートパッケージ(例：ハーフブリッジ構成のPQFN 5x6)を置き換えることで、基板上の電源部を約50％縮小することができる。
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- 対称型ハーフブリッジMOSFETソリューション スケーラブルパワーブロック OptiMOS 6 40V／OptiMOS 5 100V
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：1.02MB本製品は、最新パッケージイノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFET(Q1とQ2でRDS(on)が同じで対称の動作をするハーフブリッジ)を、さまざまなアプリケーション(モータドライブ、SMPSなど)を対象としたコンパクトなリードレスSMD(6.3×6.0mm²)パッケージに搭載している。リード製品には、最新のOptiMOS 6 40VおよびOptiMOS 5 100Vシリコン技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮する。2つのディスクリートパッケージ(例：ハーフブリッジ構成のPQFN 5x6)を置き換えることで、基板上の電源部を約50％縮小することができる。
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