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RFパワーGaNトランジスター G22001 出力:20W／周波数:2000Mhz／利得:11dB

(株)ノアテクノロジー

最終更新日:2023/05/01

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Polyfet RF Devices社製

【G22001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：20W、周波数：2000Mhz、利得：11dB、パッケージ：G2。

半導体デバイス│ディスクリート:パワーモジュール│

製品カタログ・資料

: RFパワーGaNトランジスター G22001
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.04MB【G22001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：20W、周波数：2000Mhz、利得：11dB、パッケージ：G2。

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〒 164-0011 中野区中央4-31-16
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