RFパワーGaNトランジスター G22001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
最終更新日:2023/05/01
このページを印刷製品カタログ・資料
- RFパワーGaNトランジスター G22001
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.04MB【G22001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力:20W、周波数:2000Mhz、利得:11dB、パッケージ:G2。
関連製品カタログ・資料
RFパワーモジュール MVAD01
RFパワーVDMOSトランジスタ SR401 出力:300W/周波数:175MHz/利得:13dB
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
RFパワーVDMOSトランジスタ SK701 出力:45W/周波数:500MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MCCQ02 出力:15W/周波数:20-520MHz/利得:27dB/Vdd:25V
RFパワーVDMOSトランジスタ SQ201 出力:8W/周波数:1000MHz/利得:10dB
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SM703
RFパワーモジュール MTDQ01
RFパワーVDMOSトランジスタ SA701 出力:25W/周波数:175MHz/利得:13dB
RFパワーGaNトランジスター GP1001
会社情報
株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SE701
RFパワーモジュール MSUV41 出力:100W/周波数:960~1260Mhz/利得:13dB/Vdd:48V
RFパワーモジュール MLCQ04 出力:40W/周波数:20~520Mhz/利得:40dB/Vdd:28V
RFパワーモジュール MSCQ01 出力:100W/周波数:30~512Mhz/利得:8dB/Vdd:26V
RFパワーモジュール MSMV01 出力:100W/周波数:225~1000Mhz/利得:16dB/Vdd:28V
RFパワーLDMOSトランジスタ L2821 出力:8W/周波数:500MHz/利得:13dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SR704U 出力:150W/周波数:400MHz/利得:10dB
LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LR 出力:850W/周波数:1400MHz/利得:13dB
RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500MHz/利得:10dB
RFパワーLDMOSトランジスタ L2801 出力:15W/周波数:1000MHz/利得:12dB