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RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB

(株)ノア テクノロジー

最終更新日:2023/07/31

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  • RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスタ
本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:4W、周波数:1000MHz、利得:10dB、パッケージ:SO8。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。

製品カタログ・資料

RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力:4W/周波数:1000MHz/利得:10dB

ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.06MB本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー&ページングアンプベースステーション、放送局FM/AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力:4W、周波数:1000MHz、利得:10dB、パッケージ:SO8。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。

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〒 164-0011  中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168

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