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RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力：4W／周波数：1000MHz／利得：10dB

最終更新日:2023/07/31

シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスタ

本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー＆ページングアンプベースステーション、放送局FM／AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力：4W、周波数：1000MHz、利得：10dB、パッケージ：SO8。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。

半導体デバイス│ディスクリート:RFトランジスタ│

製品カタログ・資料

: RFパワーVDMOSトランジスタ SB201 出力：4W／周波数：1000MHz／利得：10dB
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.06MB本製品は、シリコンVDMOS、LDMOS専用設計の広帯域RFアプリケーション向けトランジスタ。セルラー＆ページングアンプベースステーション、放送局FM／AM、MRI、レーザードライバー、軍事用無線に適している。出力：4W、周波数：1000MHz、利得：10dB、パッケージ：SO8。フィードバック容量と出力容量が少なく、高効率のトランジスタを実現した。

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