LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LB
最終更新日:2023/04/11
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- LDMOSプッシュプルトランジスタ LY2542LB
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.1MB【LY2542LB】は、960~1215MHz(IFF、SSRなど)、ADS-Bトランスポンダー、DMEパルスアビオニクスアプリケーション用のLDMOSプッシュプルトランジスタ。内部入出力インピーダンス。マッチングバック・トゥ・バック・ゲート・ダイオード。ESD保護強化のために高いドレインブレークダウン電圧を持つ。動作電圧範囲:40~50VDC、出力:800W、周波数:1215Mhz、利得:13dB、パッケージ:LY。
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会社情報
株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
(株)ノア テクノロジー
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168
http://noah-techno.com/詳細はこちら
製品ご紹介
RFパワーVDMOSトランジスタ SA701 出力:25W/周波数:175MHz/利得:13dB
RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MTDQ01 出力:50W/周波数:20~520Mhz/利得:13dB/Vdd:24V
RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MLCQ03 出力:60W/周波数:20~512Mhz/利得:37dB/Vdd:28V
RFパワーモジュール MKAL02 出力:100W/周波数:2~100Mhz/利得:50dB/Vdd:28V
RFパワーGaNトランジスター G22001 出力:20W/周波数:2000Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MMAL01 出力:15W/周波数:5~100Mhz/利得:30dB/Vdd:25V
RFパワーGaNトランジスター GP1441 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
RFパワーモジュール MSCQ01 出力:100W/周波数:30~512Mhz/利得:8dB/Vdd:26V