製品ナビは、工業製品からエレクトロニクス、IT製品まで、探している製品が見つかります

RFパワーGaNトランジスター GP1001 出力:10W／周波数:2500Mhz／利得:11dB

(株)ノアテクノロジー

最終更新日:2023/05/01

このページを印刷

Polyfet RF Devices社製

【GP1001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：10W、周波数：2500Mhz、利得：11dB、パッケージ：GP。

半導体デバイス│ディスクリート:パワーモジュール│

製品カタログ・資料

: RFパワーGaNトランジスター GP1001
ファイル形式：pdf ファイルサイズ：0.08MB【GP1001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力：10W、周波数：2500Mhz、利得：11dB、パッケージ：GP。

関連製品カタログ・資料

会社情報

: 株式会社ノアテクノロジーは半導体/電子部品を取り扱う専門商社です。
弊社は2009年に設立された比較的新しい会社ですが、前社長の加藤文則が35年以上半導体業界で培ったノウハウを武器に国内の多くの企業で採用実績がございます。
弊社は常にお客様のことを第一に考え、高品質な製品と良質なサービスを提供しております。
半導体製品のLead timeが長期化している昨今ですがお客様が必要としている製品を短納期でかつ適切なサポートでお客様のもとに届けております。
もし弊社が取り扱う製品で気になるものがございましたらご一報いただけますと幸いです。
(株)ノアテクノロジー
〒 164-0011 中野区中央4-31-16
電話 : 03-6382-7168

http://noah-techno.com/
詳細はこちら

製品ご紹介

RFパワーGaNトランジスター GP1001 出力:10W／周波数:2500Mhz／利得:11dBのお問い合わせ

お問い合わせはこちら

企業ロゴ

アンケートご協力のお願い

特集ページはこちら

企業基本情報

社名：: (株)ノアテクノロジー

住所：: 〒 164-0011
中野区中央4-31-16

Web：: http://noah-techno.com/

TEL：: 03-6382-7168

おすすめ情報

RFパワーモジュール MSCQ02 Vdd:28V/出力:150W/周波数:30～512Mhz/利得:17dB

【MSCQ02】は、非常に高利得で30～512MHzの広帯域幅をカバーするアンプモジュール。コンパクトなモジュール設計でありながら非常に頑丈で軍事用に適している。ALC端子を搭載しており、これによりモジュールの出力電力、Gain、ブランキングを制御する。出力:150W、周波数:30～512Mhz、利得:17dB、Vdd:28V。
RFパワーGaNトランジスター G21001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB

【G21001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN (on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力: 10W、周波数: 2500Mhz、利得: 11dB、パッケージ: G2。