RFパワーGaNトランジスター GP1001 出力:10W/周波数:2500Mhz/利得:11dB
最終更新日:2023/05/01
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- RFパワーGaNトランジスター GP1001
ファイル形式:pdf ファイルサイズ:0.08MB【GP1001】は、内部マッチングを行うことでブロードバンドと狭帯域アプリケーションの両方に適したGAN(on SiC) HEMT。サーマルエンハンスドの使用パッケージを使用することにより放熱性に優れている。出力:10W、周波数:2500Mhz、利得:11dB、パッケージ:GP。
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会社情報
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製品ご紹介
RFパワーモジュール MSMV01 出力:100W/周波数:225~1000Mhz/利得:16dB/Vdd:28V
RFパワーモジュール MBDP01 出力:64W/周波数:30~400Mhz/利得:10dB/Vdd:27V
RFパワーLDMOSトランジスタ L2601 出力:7W/周波数:1500MHz/利得:10dB
シリコンゲートエンハンスメントモードRFパワーVDMOSトランジスター SJ701
RFパワーモジュール MCCQ04 出力:15W/周波数:20~520Mhz/利得:27dB/Vdd:24V
RFパワーモジュール MSUV41 出力:100W/周波数:960~1260Mhz/利得:13dB/Vdd:48V
RFパワーLDMOSトランジスタ L2711 出力:7W/周波数:500MHz/利得:10dB
RFパワーモジュール MCCQ21 出力:10W/周波数:20~512Mhz/利得:25dB/Vdd:14.5V
LDMOSデバイス LR2301 出力:125W/周波数:500Mh/利得:18dB
RFパワーVDMOSトランジスタ SK204 出力:25W/周波数:1000MHz/利得:10dB