【DLS-1000】は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染およびダメージなどによる結晶欠陥を電気的かつ高感度に測定・分析を行うシステム。半導体における深い準位(トラップ)を測定することで、容量の過渡応答を利用して禁制帯中のエネルギーと捕獲断面積が分かる。改良された高感度システムであり、先行モデル「DLS-83D」の8倍の感度を有する。全自動測定モードを搭載しており、測定されたデータの不純物特定や濃度判定などの幅広い解析をユーザーの介入なしに行える。