サムスン電子とSTマイクロエレクトロニクス、戦略的提携を28nm FD-SOI技術へ拡大
2014/05/15
STマイクロエレクトロニクス(株)
～ファウンドリーおよびライセンス契約により、高速、低発熱、シンプルな半導体デバイスに向けた28nm FD-SOI技術のマルチソースを確立～
【2014年5月14日、ソウル、ジュネーブ発】多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE：STM、以下ST)と先進的半導体ソリューションの世界的リーダーであるサムスン電子(Samsung Electronics Co., Ltd.、以下サムスン)は、本日、28nm完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)技術のマルチソース製造協力に関する包括的契約を締結したことを発表しました。
このライセンス契約により、サムスンの最新鋭300mm工場から先端製造ソリューションが顧客に提供されるとともに、STのFD-SOI技術を使った量産体制が確立されます。28nmノードのFD-SOI技術は、高速かつ低発熱でシンプルな製造プロセスを特長とする半導体デバイスを提供し、モバイルやコンスーマ機器など次世代電子機器向けの高性能かつ低消費電力のシステム・オン・チップに対する継続的な需要に対応します。
28nm FD-SOI技術に関する合意には、STが開発したプロセス技術と設計エコシステムが含まれます。STは28nm FD-SOI技術の高速、低消費電力、シンプル性に関する優位性を既に実証しています。これにより、同技術を使った製品への関心を高め、設計への動きを推進しています。本契約は28nm FD-SOI製品に対するマルチソースを確立することでSTの300mm工場(フランス、クロル)における先進28nm FD-SOIの生産能力を補完するとともに、サムスンとST両社の量産技術に関する豊富な経験と幅広い知識によって生み出される利点を顧客に提供します。サムスンの28nm FD-SOI技術は2015年初期に量産認定される予定です。
STの最高執行責任者(COO)であるJean-Marc Cheryは、次の様にコメントしています。「STとサムスンはInternational Semiconductor DevelopmentAlliance(ISDA)フレームワークの中で、これまでに強固な関係を構築しており、今回の提携が28nm FD-SOIまで拡大されたことで、両社の協力関係はさらに強化されました。これによりSTならびに電子機器業界全体にとってFD-SOIのエコシステムならびに製造能力が拡大されます。我々は過去数四半期に渡り、当社のエンべデッド・プロセッシング・ソリューション(EPS)部門の製品に関する多数のプロジェクトやお客様との係わりを通じて、同技術に関するビジネスの勢いを感じており、この合意がさらにビジネスを加速・推進します。28nm FD-SOIのエコシステムは、先端EDA(Electronic Design Automation)ベンダーやIPサプライヤまで、さらなる拡大が予測され、28nm FD-SOI用のIPライブラリはより充実していくでしょう。」
サムスン電子のシステムLSI事業担当エグゼクティブ・バイスプレジデントであるSeh-Woong Jeong 博士は、次の様にコメントしています。「当社は、28nm FD-SOIに関するSTとの協力を今回発表できたことを嬉しく思います。20nmノードへ移行せずに28nmノードを使ってさらなる性能や電力効率を求められるお客様にとって、このソリューションは理想的です。28nmプロセス技術は生産性の高いプロセス技術であり、既に確立されている製造設備を長期にわたり利用できると期待されています。サムスンは、当社の技術ポートフォリオにFD-SOIを追加することで、お客様の成功のために広範な28nmプロセスを提供します。」
■技術情報
FD-SOI技術は、フランス・グルノーブル地域の技術クラスタにおいて、ST、CEA-Leti、Soitecおよびその他パートナーが長年にわたって行ってきた研究開発の成果です。この技術は、電力効率ならびに性能とともに管理された所有コストを求める市場ニーズをサポートします。半導体プロセス技術は、従来のプレーナ型の半導体プロセス技術を進化させることで、「ムーアの法則(1)」を効果的に発展させています。FD-SOIには、代替製造プロセスと異なり、既存の設計フロー、豊富なEDA(Electronic Design Automation)ソフトウェア、および従来の製造設備を継続利用できるといったメリットがあります。特に、STのFD-SOI技術(2)は、既存の製造ツールおよび設備に対するこれまでの投資を無駄にせず、高速性能および低動作時温度の最適なバランスを実現します。この技術は、既存の設計フローや製造設備の活用をはじめ、プロセスの複雑さを大幅に軽減します。
(1) 集積回路におけるトランジスタの数が2年毎に倍増するというこの観測は、1965年のGordon E. Mooreの論文("Cramming more components onto integrated circuits," Electronics Magazine)で発表されました。
(2) STは、UTBB(Ultra-Thin Buried Oxide)FD-SOIを開発ならびに製品化しました。FD-SOIのメリットは、2012年のThomas Skotnicki、Frank ArnaudおよびOlivier Faynotによる論文に詳述されています。
■サムスン電子について
サムスン電子は技術の世界的リーダーとして、あらゆる場所で人々のために新たな可能性を拓いています。当社は、たゆまぬ革新と発見を通じて、TV、スマートフォン、タブレット、PC、カメラ、家庭用電化製品、プリンター、LTEシステム、医療機器、半導体、LEDソリューションの世界に変革を起こしています。80カ国に28万6000人の従業員を擁し、年間売上高は2167億米ドルに達しています。詳細については、http：／／www.samsung.com をご覧ください。
■STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス ＆ パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト( http：／／www.st-japan.co.jp )をご覧ください。
◆サムスン電子へのお問い合わせ先
MEDIA RELATIONS
Lisa Warren-Plungy
Samsung Semiconductor
Tel：＋1 408-544-5377
lwarrenplungy@ssi.samsung.com
◆STへのお問い合わせ先
IR関係者お問い合わせ先
INVESTOR RELATIONS：
Tait Sorense
nGroup VP, Investor Relations
Tel：＋1 602 485 2064
tait.sorensen@st.com
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
コーポレートコミュニケーション部 内芝/迫（さこ）
TEL: 03-5783-8220
【2014年5月14日、ソウル、ジュネーブ発】多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE：STM、以下ST)と先進的半導体ソリューションの世界的リーダーであるサムスン電子(Samsung Electronics Co., Ltd.、以下サムスン)は、本日、28nm完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)技術のマルチソース製造協力に関する包括的契約を締結したことを発表しました。
このライセンス契約により、サムスンの最新鋭300mm工場から先端製造ソリューションが顧客に提供されるとともに、STのFD-SOI技術を使った量産体制が確立されます。28nmノードのFD-SOI技術は、高速かつ低発熱でシンプルな製造プロセスを特長とする半導体デバイスを提供し、モバイルやコンスーマ機器など次世代電子機器向けの高性能かつ低消費電力のシステム・オン・チップに対する継続的な需要に対応します。
28nm FD-SOI技術に関する合意には、STが開発したプロセス技術と設計エコシステムが含まれます。STは28nm FD-SOI技術の高速、低消費電力、シンプル性に関する優位性を既に実証しています。これにより、同技術を使った製品への関心を高め、設計への動きを推進しています。本契約は28nm FD-SOI製品に対するマルチソースを確立することでSTの300mm工場(フランス、クロル)における先進28nm FD-SOIの生産能力を補完するとともに、サムスンとST両社の量産技術に関する豊富な経験と幅広い知識によって生み出される利点を顧客に提供します。サムスンの28nm FD-SOI技術は2015年初期に量産認定される予定です。
STの最高執行責任者(COO)であるJean-Marc Cheryは、次の様にコメントしています。「STとサムスンはInternational Semiconductor DevelopmentAlliance(ISDA)フレームワークの中で、これまでに強固な関係を構築しており、今回の提携が28nm FD-SOIまで拡大されたことで、両社の協力関係はさらに強化されました。これによりSTならびに電子機器業界全体にとってFD-SOIのエコシステムならびに製造能力が拡大されます。我々は過去数四半期に渡り、当社のエンべデッド・プロセッシング・ソリューション(EPS)部門の製品に関する多数のプロジェクトやお客様との係わりを通じて、同技術に関するビジネスの勢いを感じており、この合意がさらにビジネスを加速・推進します。28nm FD-SOIのエコシステムは、先端EDA(Electronic Design Automation)ベンダーやIPサプライヤまで、さらなる拡大が予測され、28nm FD-SOI用のIPライブラリはより充実していくでしょう。」
サムスン電子のシステムLSI事業担当エグゼクティブ・バイスプレジデントであるSeh-Woong Jeong 博士は、次の様にコメントしています。「当社は、28nm FD-SOIに関するSTとの協力を今回発表できたことを嬉しく思います。20nmノードへ移行せずに28nmノードを使ってさらなる性能や電力効率を求められるお客様にとって、このソリューションは理想的です。28nmプロセス技術は生産性の高いプロセス技術であり、既に確立されている製造設備を長期にわたり利用できると期待されています。サムスンは、当社の技術ポートフォリオにFD-SOIを追加することで、お客様の成功のために広範な28nmプロセスを提供します。」
■技術情報
FD-SOI技術は、フランス・グルノーブル地域の技術クラスタにおいて、ST、CEA-Leti、Soitecおよびその他パートナーが長年にわたって行ってきた研究開発の成果です。この技術は、電力効率ならびに性能とともに管理された所有コストを求める市場ニーズをサポートします。半導体プロセス技術は、従来のプレーナ型の半導体プロセス技術を進化させることで、「ムーアの法則(1)」を効果的に発展させています。FD-SOIには、代替製造プロセスと異なり、既存の設計フロー、豊富なEDA(Electronic Design Automation)ソフトウェア、および従来の製造設備を継続利用できるといったメリットがあります。特に、STのFD-SOI技術(2)は、既存の製造ツールおよび設備に対するこれまでの投資を無駄にせず、高速性能および低動作時温度の最適なバランスを実現します。この技術は、既存の設計フローや製造設備の活用をはじめ、プロセスの複雑さを大幅に軽減します。
(1) 集積回路におけるトランジスタの数が2年毎に倍増するというこの観測は、1965年のGordon E. Mooreの論文("Cramming more components onto integrated circuits," Electronics Magazine)で発表されました。
(2) STは、UTBB(Ultra-Thin Buried Oxide)FD-SOIを開発ならびに製品化しました。FD-SOIのメリットは、2012年のThomas Skotnicki、Frank ArnaudおよびOlivier Faynotによる論文に詳述されています。
■サムスン電子について
サムスン電子は技術の世界的リーダーとして、あらゆる場所で人々のために新たな可能性を拓いています。当社は、たゆまぬ革新と発見を通じて、TV、スマートフォン、タブレット、PC、カメラ、家庭用電化製品、プリンター、LTEシステム、医療機器、半導体、LEDソリューションの世界に変革を起こしています。80カ国に28万6000人の従業員を擁し、年間売上高は2167億米ドルに達しています。詳細については、http：／／www.samsung.com をご覧ください。
■STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス ＆ パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト( http：／／www.st-japan.co.jp )をご覧ください。
◆サムスン電子へのお問い合わせ先
MEDIA RELATIONS
Lisa Warren-Plungy
Samsung Semiconductor
Tel：＋1 408-544-5377
lwarrenplungy@ssi.samsung.com
◆STへのお問い合わせ先
IR関係者お問い合わせ先
INVESTOR RELATIONS：
Tait Sorense
nGroup VP, Investor Relations
Tel：＋1 602 485 2064
tait.sorensen@st.com
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
コーポレートコミュニケーション部 内芝/迫（さこ）
TEL: 03-5783-8220
