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biRAPID次世代パワー半導体(SiC/GaN)搭載パワエレ開発支援キット

ヘッドスプリング株式会社

最終更新日:2020/12/02

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  • biRAPID次世代パワー半導体(SiC/GaN)搭載パワエレ開発支援キット
実験設備から製品組込みまで活用可能
本製品は、パワーエレクトロニクスの実験設備を標準とパーツの組み合わせと少しのカスタマイズで実現できるようにするというコンセプトで開発されたパワエレ開発支援キット(ラピッド・プロトタイピングツール)。パワエレ機器に必要な要素で分割したシンプルな機能の製品を多種類ラインナップしており、研究用・開発用の設備を低コストで構築することができる。

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企業基本情報

社名:
ヘッドスプリング株式会社
住所:
〒 140-0002
品川区東品川2丁目5番5号 ハーバーワンビル3F
Web:
https://headspring.co.jp/
TEL:
0354957957