ニュースリリース一覧
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2019/03/22オン・セミコンダクターの AR0430 CMOS イメージセンサが、IoT Star Award…
高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、本年度のIoT Star Awardで、革新的なデザインと豊富な機能を搭載した同社のCMOSイメージ…>>詳細を見る -
2019/03/12ビシェイ社、新オプトカプラを発表、1000V/μsの静的dV/dt
～家庭用電化製品、産業機器向けに最適、ボードスペースの削減、800Vの高オフ電圧をDIP-6、SMD-6パッケージで提供～ ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人：ビシェイジャ…>>詳細を見る -
2019/03/08オン・セミコンダクター、インドのバンガロールにおける製品設計・開発業…
高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、インドの全事業を統合することを目標に、バンガロールに55,000平方フィート（約5,110平…>>詳細を見る -
2019/03/08オン・セミコンダクターのジェネラルカウンシルが、株式公開企業を対象と…
オン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、同社のエグゼクティブ・バイスプレジデントであり、最高倫理コンプライアンス責任者、最高リスク管理責任者、ジェネラルカウンシル、…>>詳細を見る -
2019/03/08オン・セミコンダクター、エシスフィア・インスティテュートから４度目と…
高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、倫理的な事業慣行を規定および推進する世界的な研究機関であるEthisphere Institute（…>>詳細を見る -
2019/03/08オン・セミコンダクター、2018年のディストリビューション・パートナ賞の…
高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、2018年のディストリビューション・パートナ賞の受賞社を発表しました。この賞は、進化…>>詳細を見る -
2019/03/07ビシェイ社、AEC-Q101準拠－30Vと－40VPチャネルMOSFETを発表、DPAKと比べ…
～車載グレードデバイス、業界最小4.4mΩの低オン抵抗を5mmx6mmガルウィングリード付き小型PowerPAK® SO-8Lパッケージで提供～ ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人：ビシ…>>詳細を見る -
2019/02/22ビシェイ社、60V TrenchFET® MOSFETを発表、1.7 mΩの低オン抵抗、電力損失…
～52nCのゲート電荷、68nC出力電荷は業界最小、PowerPAK® SO-8シングルパッケージで提供～ ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷…>>詳細を見る -
2019/02/21京都マイクロコンピュータの開発環境がルネサス新製品 64bit MPU「RZ/G2」…
～ハードウェア立ち上げ、OSプラットフォーム構築、アプリ開発から性能解析までを全面支援～ 京都マイクロコンピュータ株式会社（以下KMCと記載）は、KMCの開発環境がルネサス エレクトロニクス株式会社様（以下ル…>>詳細を見る -
2019/02/14オン・セミコンダクター、電力に最適化されたIoTアプリケーション向けRSL1…
高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）の日本法人オン・セミコンダクター株式会社（本社 東京都品川区大崎2-1-1）は、RSL10センサ…>>詳細を見る -
2019/02/08ビシェイ社、中電力のUVCエミッタダイオードを発表、極めて長寿命、石英レ…
2019年2月8日 NEWS RELEASE ビシェイ社、中電力のUVCエミッタダイオードを発表、極めて長寿命、石英レンズが特長 セラミックデバイス、18mWの放射強度を小型3.5mm×3.5mm×1.2mm表面実装型パッケージで提供 ビシェ…>>詳細を見る -
2019/02/05ビシェイ社、2.5 A IGBT/MOSFETドライバを発表、インバータステージ向けに…
■2.5 Aの高ピーク出力電流が特長 ■モーター駆動、代替エネルギー、その他高電圧アプリケーションに最適 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人：ビシェイジャパン株式会社…>>詳細を見る -
2019/02/05125℃動作を保証する、電源電圧が5Vの64Kビット FRAMを開発
富士通セミコンダクター株式会社は、125℃動作を保証するFRAM製品ファミリーでは初の電源電圧が5Vの製品として、SPIインターフェースをもつ64Kビット FRAM「MB85RS64VY」を開発しました。現在、評価サンプルを提供中…>>詳細を見る -
2019/02/05UHF帯RFIDバッテリーレス電子ペーパータグ新技術を開発
富士通セミコンダクター株式会社は、E Ink Holdings Inc.と共同で、電子ペーパーディスプレイの表示をUHF帯無線給電により、バッテリーレスで書換えることが可能な技術を開発しました。近接通信のNFCと違い、このUH…>>詳細を見る -
2019/02/05EEPROMの高性能互換となる不揮発性メモリ、4Mビット シリアルFRAMを開発
富士通セミコンダクター株式会社は、シリアルインターフェースの最大メモリ容量である4MビットFRAM「MB85RS4MT」を開発し、量産品を提供しています。 MB85RS4MTは、エッジコンピューティングの拡大、センサー情報の…>>詳細を見る -
2019/02/05不揮発性メモリのFRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発
富士通セミコンダクター株式会社は、FRAMの製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互…>>詳細を見る -
2019/02/05-55℃での低温動作を保証する64K ビット FRAMを開発
富士通セミコンダクター株式会社は、-55℃という非常に低い温度環境下での動作を保証するメモリとして、64KビットFRAM「MB85RS64TU」を開発し、量産品を提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジの動作…>>詳細を見る -
2019/02/01ビシェイ社、第4世代600V Eシリーズ パワーMOSFETを発表、業界最小3.1 Ω*n…
～Superjunctionデバイス、導通損失およびスイッチング損失を低減、テレコム、産業、企業用途向けに高効率を提供～ ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人：ビシェイジャパ…>>詳細を見る -
2019/01/31ビシェイ社、TMBS®ダイオードをSMFパッケージで発表、スペース削減、電力…
～1A～3Aデバイス、45V～150Vの耐圧、0.36Vの低い順方向電圧を提供～ ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：…>>詳細を見る -
2019/01/15ビシェイ社、1000V/μsのスタティックdV/dtが特長のオプトカプラ発表
～省スペース化デバイス、800Vの高オフ電圧をDIP-6およびSMD-6パッケージで提供、家庭用電化製品、産業機器に最適～ ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人：ビシェイジャ…>>詳細を見る
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