企業基本情報
GaN／SiC半導体解析向け測定システム
最終更新日:2022/05/17
このページを印刷
立ち上がり時間：435ps、1.5％のシステム精度を実現
本システムは、高分解能12ビット・オシロスコープ、1GHz高電圧光アイソレーション・プローブ「DL-ISO」、パワーデバイス・テスト・ソフトウェアで構成された測定システム。GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導の電気特性を1.5％という高精度で評価。「DL-ISO」は、帯域幅：350MHz／500MHz／1GHzのラインアップを展開。高い信号忠実度、最小のオーバーシュート、高精度を有し、1GHzの帯域幅は、GaNデバイスの1nsの立ち上がり時間を測定するための要件を満たしている。また、高分解能オシロスコープは、12ビット分解能で最大20GS／sのサンプリング速度を実現。
一緒に閲覧されている製品
GaN／SiC半導体解析向け測定システムのお問い合わせ
その他製品一覧
デジタルIC計測システム EVA100…
パーソナルマニュアルプローバ …
アナログIC／ミクスドシグナルI…
LED検査分類テスタ OLC-110V／2…
4探針法 全自動測定ソーター WS…
LED検査分類テスタ OLC-7
微小電流測定用セミオートプロ…
6インチ マニュアル・プローバ…
ウエハプローバ DWP-3000
LEMSYS社 フルオートテストライ…
薄膜飽和磁歪測定装置
チャージアップモニタウエハ
8インチ ハイパワー用オートプ…
μTAS測定用ソケットユニット RY…
モニター・バーンイン装置 BI-1…
シールド機構付き300mmオートプ…
バイオ・チップインターフェー…
LED検査分類テスタ OLC-300W
パワーデバイス用オートプロー…
アナログIC／ミクスド・シグナ…
