GaN/SiC半導体解析向け測定システム
最終更新日:2022/05/17
このページを印刷立ち上がり時間:435ps、1.5%のシステム精度を実現
本システムは、高分解能12ビット・オシロスコープ、1GHz高電圧光アイソレーション・プローブ「DL-ISO」、パワーデバイス・テスト・ソフトウェアで構成された測定システム。GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導の電気特性を1.5%という高精度で評価。「DL-ISO」は、帯域幅:350MHz/500MHz/1GHzのラインアップを展開。高い信号忠実度、最小のオーバーシュート、高精度を有し、1GHzの帯域幅は、GaNデバイスの1nsの立ち上がり時間を測定するための要件を満たしている。また、高分解能オシロスコープは、12ビット分解能で最大20GS/sのサンプリング速度を実現。
一緒に閲覧されている製品
その他製品一覧
アナログIC/ミクスドシグナルI…
非接触(渦電流法)シート抵抗/…
高精度・高信頼性 シールド機構…
8インチ ハイパワー用オートプ…
LED検査分類テスタ OLC-7
半導体テストシステム TS-900
配線品質解析システムオプション
半導体テスタ V2048
μTAS測定用ソケットユニット RY…
半導体カーブトレーサ CS-12800…
チップ・モールド膜厚検査シス…
IGBT&MOSFET用 動特性・静特性…
アナログIC/ミクスド・シグナ…
LEMSYS社 フルオートテストライ…
シールド機構付き300mmオートプ…
薄膜飽和磁歪測定装置
顕微式自動膜厚測定システム F54
6インチ マニュアル・プローバ…
デジタルIC計測システム EVA100…
300mm フルオートオプション付…