GaN／SiC半導体解析向け測定システム
最終更新日:2022/05/17
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立ち上がり時間：435ps、1.5％のシステム精度を実現
本システムは、高分解能12ビット・オシロスコープ、1GHz高電圧光アイソレーション・プローブ「DL-ISO」、パワーデバイス・テスト・ソフトウェアで構成された測定システム。GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導の電気特性を1.5％という高精度で評価。「DL-ISO」は、帯域幅：350MHz／500MHz／1GHzのラインアップを展開。高い信号忠実度、最小のオーバーシュート、高精度を有し、1GHzの帯域幅は、GaNデバイスの1nsの立ち上がり時間を測定するための要件を満たしている。また、高分解能オシロスコープは、12ビット分解能で最大20GS／sのサンプリング速度を実現。
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