GaN/SiC半導体解析向け測定システム
最終更新日:2022/05/17
このページを印刷立ち上がり時間:435ps、1.5%のシステム精度を実現
本システムは、高分解能12ビット・オシロスコープ、1GHz高電圧光アイソレーション・プローブ「DL-ISO」、パワーデバイス・テスト・ソフトウェアで構成された測定システム。GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導の電気特性を1.5%という高精度で評価。「DL-ISO」は、帯域幅:350MHz/500MHz/1GHzのラインアップを展開。高い信号忠実度、最小のオーバーシュート、高精度を有し、1GHzの帯域幅は、GaNデバイスの1nsの立ち上がり時間を測定するための要件を満たしている。また、高分解能オシロスコープは、12ビット分解能で最大20GS/sのサンプリング速度を実現。
一緒に閲覧されている製品
その他製品一覧
LED検査分類テスタ OLC-110V/2…
6インチ マニュアル・プローバ…
半導体カーブトレーサ CS-12800…
配線品質解析システムオプション
アナログIC/ミクスド・シグナ…
半導体テスタ V2048
ギガ・コンタクトユニット
チャージアップモニタウエハ
IGBT&MOSFET用 動特性・静特性…
4探針法 全自動測定ソーター WS…
バイオ・チップインターフェー…
ウエハプローバ DWP-3000
デジタルIC計測システム EVA100…
LEMSYS社 フルオートテストライ…
半導体デバイス不良検出・解析…
LED検査分類テスタ OLC-7
薄膜飽和磁歪測定装置
μTAS測定用ソケットユニット RY…
LED検査分類テスタ OLC-300W
8インチ ハイパワー用オートプ…