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(1)SiCヒータを採用し、1000℃の高温加熱を実現
(2)10Pa〜超高真空まで広範囲な圧力範囲で成膜可能
(3)メンテナンスの容易なYAGレーザーを採用
(4)コンパクトながら自由度が多く高性能で低価格
(5)スパッタ、蒸着およびMBE装置へも拡張可能