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実験用パルスプラズマCVD装置

神港精機(株)

最終更新日:2014/02/01

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  • 実験用パルスプラズマCVD装置
効率の良いプラズマ反応により200℃以下で成膜可能
本装置は、高出力(最高50kW)の高周波電力を間欠的に印加し、瞬間的に原料ガスを分解して成膜する実験用のパルスプラズマCVD装置。原料ガス、反応ガスとも間欠的に導入し、効率の良いプラズマ反応を起こさせるため、200℃以下の低温でSiO2、SiNx、TiNなどを成膜可能。

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