パワー半導体向けアニール炉
【Activator150】は、シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)におけるイオン注入後の熱処理向けに開発された(独)セントロサーム社製ウェハー加熱炉。金属汚染のない独特な加熱方法により、1,850℃までの加熱とサイクルタイムの軽減が可能。また、省スペース、低コストオブオーナーシップを可能にした設計により、最適な生産環境を提供。用途は幅広く、研究開発(R&D)から大量生産にまで対応。主な特長は、
(1)高い活性化率
(2)表面荒れを抑えるプロセス
(3)ウェハー処理枚数:〜50枚 1バッチあたり(150mmウェハー)
(4)加熱速度:分速〜150(K)
(5)カーボンキャップの無しプロセスにも対応
(1)高い活性化率
(2)表面荒れを抑えるプロセス
(3)ウェハー処理枚数:〜50枚 1バッチあたり(150mmウェハー)
(4)加熱速度:分速〜150(K)
(5)カーボンキャップの無しプロセスにも対応